Улучшенный IBM производственный процесс технологии TSV позволит с помощью технологии Hybrid Micron Memory Cube создавать модули памяти со скоростью в 15 раз превышающей самую высокую скорость памяти DDR3 современных компьютеров.
Кроме того, новые модули памяти будут расходовать на 70% меньше электроэнергии, а также будут обладать уменьшенными размерами, составляющими до 10% от традиционных устройств памяти. Производство начнется в испытательном центре компании IBM в Восточном Фишкилле, штат Нью-Йорк, при использовании 32-нм технологии High-K/Metal Gate.
Кроме того, IBM сообщила о новой технологии, которая позволит производство уменьшенных и одновременно ускоренных чипов для компьютерной индустрии. Новая технология заключается в использовании новых химических соединений в 200 мм пластинах и применении графеновых и углеродных нанотрубок и Racetrack memory. Согласно IBM, развитие новой технологии может способствовать общему объединению компьютерных систем, систем связи и бытовой электроники.
